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Si5482DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
0.040
T J = 150 °C
0.035
I D = 7.4 A
0.030
10
0.025
T A = 125 °C
1
T J = 25 °C
0.020
0.015
0.010
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
1.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = 250 μA
40
30
20
10
0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
BVDSS Limited
100 μs
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73594
S-81448-Rev. B, 23-Jun-08
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